Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SQJ200EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Mã sản phẩm
SQJ200EP-T1_GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SO-8 Dual
Sức mạnh tối đa
27W, 48W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Loại FET
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Standard
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
20A, 60A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
18nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
975pF @ 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 17996 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SQJ200EP-T1_GE3
SQJ200EP-T1_GE3 Linh kiện điện tử
SQJ200EP-T1_GE3 Việc bán hàng
SQJ200EP-T1_GE3 Nhà cung cấp
SQJ200EP-T1_GE3 Nhà phân phối
SQJ200EP-T1_GE3 Bảng dữ liệu
SQJ200EP-T1_GE3 Ảnh
SQJ200EP-T1_GE3 Giá
SQJ200EP-T1_GE3 Lời đề nghị
SQJ200EP-T1_GE3 Giá thấp nhất
SQJ200EP-T1_GE3 Tìm kiếm
SQJ200EP-T1_GE3 Thu mua
SQJ200EP-T1_GE3 Chip