Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SQJ262EP-T1_GE3

SQJ262EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Mã sản phẩm
SQJ262EP-T1_GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Digi-Reel®
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SO-8 Dual
Sức mạnh tối đa
27W (Tc), 48W (Tc)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Loại FET
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Standard
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
15A (Tc), 40A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 37385 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SQJ262EP-T1_GE3
SQJ262EP-T1_GE3 Linh kiện điện tử
SQJ262EP-T1_GE3 Việc bán hàng
SQJ262EP-T1_GE3 Nhà cung cấp
SQJ262EP-T1_GE3 Nhà phân phối
SQJ262EP-T1_GE3 Bảng dữ liệu
SQJ262EP-T1_GE3 Ảnh
SQJ262EP-T1_GE3 Giá
SQJ262EP-T1_GE3 Lời đề nghị
SQJ262EP-T1_GE3 Giá thấp nhất
SQJ262EP-T1_GE3 Tìm kiếm
SQJ262EP-T1_GE3 Thu mua
SQJ262EP-T1_GE3 Chip