Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SQJ403BEEP-T1_GE3

SQJ403BEEP-T1_GE3

MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8
Mã sản phẩm
SQJ403BEEP-T1_GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SO-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8
Tản điện (Tối đa)
68W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
8.5 mOhm @ 10A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
164nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 37497 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SQJ403BEEP-T1_GE3
SQJ403BEEP-T1_GE3 Linh kiện điện tử
SQJ403BEEP-T1_GE3 Việc bán hàng
SQJ403BEEP-T1_GE3 Nhà cung cấp
SQJ403BEEP-T1_GE3 Nhà phân phối
SQJ403BEEP-T1_GE3 Bảng dữ liệu
SQJ403BEEP-T1_GE3 Ảnh
SQJ403BEEP-T1_GE3 Giá
SQJ403BEEP-T1_GE3 Lời đề nghị
SQJ403BEEP-T1_GE3 Giá thấp nhất
SQJ403BEEP-T1_GE3 Tìm kiếm
SQJ403BEEP-T1_GE3 Thu mua
SQJ403BEEP-T1_GE3 Chip