Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SQJ412EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Mã sản phẩm
SQJ412EP-T1_GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SO-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8
Tản điện (Tối đa)
83W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
40V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
4.1 mOhm @ 10.3A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
120nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
5950pF @ 20V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 18072 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SQJ412EP-T1_GE3
SQJ412EP-T1_GE3 Linh kiện điện tử
SQJ412EP-T1_GE3 Việc bán hàng
SQJ412EP-T1_GE3 Nhà cung cấp
SQJ412EP-T1_GE3 Nhà phân phối
SQJ412EP-T1_GE3 Bảng dữ liệu
SQJ412EP-T1_GE3 Ảnh
SQJ412EP-T1_GE3 Giá
SQJ412EP-T1_GE3 Lời đề nghị
SQJ412EP-T1_GE3 Giá thấp nhất
SQJ412EP-T1_GE3 Tìm kiếm
SQJ412EP-T1_GE3 Thu mua
SQJ412EP-T1_GE3 Chip