SQJ414EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL
Mã sản phẩm
SQJ414EP-T1_GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SO-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8L
Tản điện (Tối đa)
45W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
12 mOhm @ 4.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
25nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 16411 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SQJ414EP-T1_GE3
SQJ414EP-T1_GE3 Linh kiện điện tử
SQJ414EP-T1_GE3 Việc bán hàng
SQJ414EP-T1_GE3 Nhà cung cấp
SQJ414EP-T1_GE3 Nhà phân phối
SQJ414EP-T1_GE3 Bảng dữ liệu
SQJ414EP-T1_GE3 Ảnh
SQJ414EP-T1_GE3 Giá
SQJ414EP-T1_GE3 Lời đề nghị
SQJ414EP-T1_GE3 Giá thấp nhất
SQJ414EP-T1_GE3 Tìm kiếm
SQJ414EP-T1_GE3 Thu mua
SQJ414EP-T1_GE3 Chip