AGM-Semi (core control source)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
AGM602C N-channel 60V 210A 2.3mΩ

AGM602C

N-channel 60V 210A 2.3mΩ
Mã sản phẩm
AGM602C
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
AGM-Semi (core control source)
đóng gói
TO-220
đóng gói
Tube
Số lượng gói
50
Sự miêu tả
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 210A Power (Pd): 186W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.3mΩ@10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 93nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 5.8nF@30V, Vds=60V Id=210A Rds=2.3mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 75985 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của AGM602C
AGM602C Linh kiện điện tử
AGM602C Việc bán hàng
AGM602C Nhà cung cấp
AGM602C Nhà phân phối
AGM602C Bảng dữ liệu
AGM602C Ảnh
AGM602C Giá
AGM602C Lời đề nghị
AGM602C Giá thấp nhất
AGM602C Tìm kiếm
AGM602C Thu mua
AGM602C Chip