AGM-Semi (core control source)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
AGM603D N-channel 60V 130A 2.8mΩ

AGM603D

N-channel 60V 130A 2.8mΩ
Mã sản phẩm
AGM603D
Loại
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Nhà sản xuất/Thương hiệu
AGM-Semi (core control source)
đóng gói
TO-252
đóng gói
taping
Số lượng gói
2500
Sự miêu tả
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 130A Power (Pd): 140W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.8mΩ@10V,10A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 66nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 5.377nF@25V, Vds=60V Id=130A Rds=2.8mΩ, working Temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 81628 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của AGM603D
AGM603D Linh kiện điện tử
AGM603D Việc bán hàng
AGM603D Nhà cung cấp
AGM603D Nhà phân phối
AGM603D Bảng dữ liệu
AGM603D Ảnh
AGM603D Giá
AGM603D Lời đề nghị
AGM603D Giá thấp nhất
AGM603D Tìm kiếm
AGM603D Thu mua
AGM603D Chip