onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
MBRA1H100T3G 100V 1A 760mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 100 V

MBRA1H100T3G

100V 1A 760mV@1A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 100 V
Mã sản phẩm
MBRA1H100T3G
Loại
diode > Schottky diode
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
SMA
đóng gói
taping
Số lượng gói
5000
Sự miêu tả
The Schottky diode uses the Schottky diode barrier principle and uses a metal-silicon Power rectifier. It employs an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. This is suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode.
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 52087 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của MBRA1H100T3G
MBRA1H100T3G Linh kiện điện tử
MBRA1H100T3G Việc bán hàng
MBRA1H100T3G Nhà cung cấp
MBRA1H100T3G Nhà phân phối
MBRA1H100T3G Bảng dữ liệu
MBRA1H100T3G Ảnh
MBRA1H100T3G Giá
MBRA1H100T3G Lời đề nghị
MBRA1H100T3G Giá thấp nhất
MBRA1H100T3G Tìm kiếm
MBRA1H100T3G Thu mua
MBRA1H100T3G Chip