onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
MBRA210LT3G 10V 2A 350mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 10 V

MBRA210LT3G

10V 2A 350mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 10 V
Mã sản phẩm
MBRA210LT3G
Loại
diode > Schottky diode
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
SMA (DO-214AC)
đóng gói
taping
Số lượng gói
5000
Sự miêu tả
...Using the Schottky diode potential barrier principle, a metal-silicon power diode is used. It has an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. Suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and other applications where performance and size are critical.
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 60823 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của MBRA210LT3G
MBRA210LT3G Linh kiện điện tử
MBRA210LT3G Việc bán hàng
MBRA210LT3G Nhà cung cấp
MBRA210LT3G Nhà phân phối
MBRA210LT3G Bảng dữ liệu
MBRA210LT3G Ảnh
MBRA210LT3G Giá
MBRA210LT3G Lời đề nghị
MBRA210LT3G Giá thấp nhất
MBRA210LT3G Tìm kiếm
MBRA210LT3G Thu mua
MBRA210LT3G Chip