onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NGTD17T65F2WP
Trench Field Stop 650V IGBT 600V 40A FS2 Die
Mã sản phẩm
NGTD17T65F2WP
Loại
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
SMD
đóng gói
bagged
Số lượng gói
1
Sự miêu tả
This Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a rugged, cost-effective field-stop II trench structure and provides excellent performance for demanding switching applications, providing low on-state voltage and minimizing switching losses.
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 56699 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của NGTD17T65F2WP
NGTD17T65F2WP Linh kiện điện tử
NGTD17T65F2WP Việc bán hàng
NGTD17T65F2WP Nhà cung cấp
NGTD17T65F2WP Nhà phân phối
NGTD17T65F2WP Bảng dữ liệu
NGTD17T65F2WP Ảnh
NGTD17T65F2WP Giá
NGTD17T65F2WP Lời đề nghị
NGTD17T65F2WP Giá thấp nhất
NGTD17T65F2WP Tìm kiếm
NGTD17T65F2WP Thu mua
NGTD17T65F2WP Chip