onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NGTD23T120F2SWK
IGBT 1200V 25A FS2 Bare Die
Mã sản phẩm
NGTD23T120F2SWK
Loại
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
SMD
đóng gói
bagged
Số lượng gói
1
Sự miêu tả
Utilizing a durable and cost-effective field-stop II trench structure, this insulated-gate bipolar transistor (IGBT) provides excellent performance in demanding switching applications and also offers low on-state voltage and lowest switching losses .
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 98917 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của NGTD23T120F2SWK
NGTD23T120F2SWK Linh kiện điện tử
NGTD23T120F2SWK Việc bán hàng
NGTD23T120F2SWK Nhà cung cấp
NGTD23T120F2SWK Nhà phân phối
NGTD23T120F2SWK Bảng dữ liệu
NGTD23T120F2SWK Ảnh
NGTD23T120F2SWK Giá
NGTD23T120F2SWK Lời đề nghị
NGTD23T120F2SWK Giá thấp nhất
NGTD23T120F2SWK Tìm kiếm
NGTD23T120F2SWK Thu mua
NGTD23T120F2SWK Chip