onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NXH100B120H3Q0PTG Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.

NXH100B120H3Q0PTG

Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Mã sản phẩm
NXH100B120H3Q0PTG
Loại
Power IC > Power Module
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
-
đóng gói
tray
Số lượng gói
24
Sự miêu tả
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 66448 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của NXH100B120H3Q0PTG
NXH100B120H3Q0PTG Linh kiện điện tử
NXH100B120H3Q0PTG Việc bán hàng
NXH100B120H3Q0PTG Nhà cung cấp
NXH100B120H3Q0PTG Nhà phân phối
NXH100B120H3Q0PTG Bảng dữ liệu
NXH100B120H3Q0PTG Ảnh
NXH100B120H3Q0PTG Giá
NXH100B120H3Q0PTG Lời đề nghị
NXH100B120H3Q0PTG Giá thấp nhất
NXH100B120H3Q0PTG Tìm kiếm
NXH100B120H3Q0PTG Thu mua
NXH100B120H3Q0PTG Chip