onsemi (Ansemi)
Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
NXH100B120H3Q0STG
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
Mã sản phẩm
NXH100B120H3Q0STG
Loại
Power IC > Power Module
Nhà sản xuất/Thương hiệu
onsemi (Ansemi)
đóng gói
-
đóng gói
tray
Số lượng gói
24
Sự miêu tả
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 80099 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode.
onsemi (Ansemi)
Từ khóa của NXH100B120H3Q0STG
NXH100B120H3Q0STG Linh kiện điện tử
NXH100B120H3Q0STG Việc bán hàng
NXH100B120H3Q0STG Nhà cung cấp
NXH100B120H3Q0STG Nhà phân phối
NXH100B120H3Q0STG Bảng dữ liệu
NXH100B120H3Q0STG Ảnh
NXH100B120H3Q0STG Giá
NXH100B120H3Q0STG Lời đề nghị
NXH100B120H3Q0STG Giá thấp nhất
NXH100B120H3Q0STG Tìm kiếm
NXH100B120H3Q0STG Thu mua
NXH100B120H3Q0STG Chip