Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
DMT10H010LCT

DMT10H010LCT

MOSFET N-CH 100V TO220AB
Mã sản phẩm
DMT10H010LCT
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-220AB
Tản điện (Tối đa)
2W (Ta), 139W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
98A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
71nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 42586 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của DMT10H010LCT
DMT10H010LCT Linh kiện điện tử
DMT10H010LCT Việc bán hàng
DMT10H010LCT Nhà cung cấp
DMT10H010LCT Nhà phân phối
DMT10H010LCT Bảng dữ liệu
DMT10H010LCT Ảnh
DMT10H010LCT Giá
DMT10H010LCT Lời đề nghị
DMT10H010LCT Giá thấp nhất
DMT10H010LCT Tìm kiếm
DMT10H010LCT Thu mua
DMT10H010LCT Chip