Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
DMT10H010LSS-13
MOSFET N-CH 100V SO-8
Mã sản phẩm
DMT10H010LSS-13
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
1.4W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
11.5A (Ta), 29.5A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.8V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
71nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 23050 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của DMT10H010LSS-13
DMT10H010LSS-13 Linh kiện điện tử
DMT10H010LSS-13 Việc bán hàng
DMT10H010LSS-13 Nhà cung cấp
DMT10H010LSS-13 Nhà phân phối
DMT10H010LSS-13 Bảng dữ liệu
DMT10H010LSS-13 Ảnh
DMT10H010LSS-13 Giá
DMT10H010LSS-13 Lời đề nghị
DMT10H010LSS-13 Giá thấp nhất
DMT10H010LSS-13 Tìm kiếm
DMT10H010LSS-13 Thu mua
DMT10H010LSS-13 Chip