Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPB009N03LGATMA1

IPB009N03LGATMA1

MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Mã sản phẩm
IPB009N03LGATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO263-7-3
Tản điện (Tối đa)
250W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
0.95 mOhm @ 100A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
227nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
25000pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 10849 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IPB009N03LGATMA1
IPB009N03LGATMA1 Linh kiện điện tử
IPB009N03LGATMA1 Việc bán hàng
IPB009N03LGATMA1 Nhà cung cấp
IPB009N03LGATMA1 Nhà phân phối
IPB009N03LGATMA1 Bảng dữ liệu
IPB009N03LGATMA1 Ảnh
IPB009N03LGATMA1 Giá
IPB009N03LGATMA1 Lời đề nghị
IPB009N03LGATMA1 Giá thấp nhất
IPB009N03LGATMA1 Tìm kiếm
IPB009N03LGATMA1 Thu mua
IPB009N03LGATMA1 Chip