Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPB011N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Mã sản phẩm
IPB011N04LGATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO263-7-3
Tản điện (Tối đa)
250W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
40V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.1 mOhm @ 100A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 200µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
346nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
29000pF @ 20V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 14274 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPB011N04LGATMA1
IPB011N04LGATMA1 Linh kiện điện tử
IPB011N04LGATMA1 Việc bán hàng
IPB011N04LGATMA1 Nhà cung cấp
IPB011N04LGATMA1 Nhà phân phối
IPB011N04LGATMA1 Bảng dữ liệu
IPB011N04LGATMA1 Ảnh
IPB011N04LGATMA1 Giá
IPB011N04LGATMA1 Lời đề nghị
IPB011N04LGATMA1 Giá thấp nhất
IPB011N04LGATMA1 Tìm kiếm
IPB011N04LGATMA1 Thu mua
IPB011N04LGATMA1 Chip