IPB017N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V D2PAK-7
Mã sản phẩm
IPB017N10N5LFATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™-5
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO263-7
Tản điện (Tối đa)
313W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.1V @ 270µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
195nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
840pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 31723 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPB017N10N5LFATMA1
IPB017N10N5LFATMA1 Linh kiện điện tử
IPB017N10N5LFATMA1 Việc bán hàng
IPB017N10N5LFATMA1 Nhà cung cấp
IPB017N10N5LFATMA1 Nhà phân phối
IPB017N10N5LFATMA1 Bảng dữ liệu
IPB017N10N5LFATMA1 Ảnh
IPB017N10N5LFATMA1 Giá
IPB017N10N5LFATMA1 Lời đề nghị
IPB017N10N5LFATMA1 Giá thấp nhất
IPB017N10N5LFATMA1 Tìm kiếm
IPB017N10N5LFATMA1 Thu mua
IPB017N10N5LFATMA1 Chip