IPB031N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V TO263-3
Mã sản phẩm
IPB031N08N5ATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Digi-Reel®
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D²PAK (TO-263AB)
Tản điện (Tối đa)
167W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
80V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
3.1 mOhm @ 100A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.8V @ 108µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
87nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
6240pF @ 40V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
6V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 31621 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPB031N08N5ATMA1
IPB031N08N5ATMA1 Linh kiện điện tử
IPB031N08N5ATMA1 Việc bán hàng
IPB031N08N5ATMA1 Nhà cung cấp
IPB031N08N5ATMA1 Nhà phân phối
IPB031N08N5ATMA1 Bảng dữ liệu
IPB031N08N5ATMA1 Ảnh
IPB031N08N5ATMA1 Giá
IPB031N08N5ATMA1 Lời đề nghị
IPB031N08N5ATMA1 Giá thấp nhất
IPB031N08N5ATMA1 Tìm kiếm
IPB031N08N5ATMA1 Thu mua
IPB031N08N5ATMA1 Chip