Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPB034N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Mã sản phẩm
IPB034N06N3GATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO263-7
Tản điện (Tối đa)
167W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 93µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
130nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
11000pF @ 30V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 52452 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPB034N06N3GATMA1
IPB034N06N3GATMA1 Linh kiện điện tử
IPB034N06N3GATMA1 Việc bán hàng
IPB034N06N3GATMA1 Nhà cung cấp
IPB034N06N3GATMA1 Nhà phân phối
IPB034N06N3GATMA1 Bảng dữ liệu
IPB034N06N3GATMA1 Ảnh
IPB034N06N3GATMA1 Giá
IPB034N06N3GATMA1 Lời đề nghị
IPB034N06N3GATMA1 Giá thấp nhất
IPB034N06N3GATMA1 Tìm kiếm
IPB034N06N3GATMA1 Thu mua
IPB034N06N3GATMA1 Chip