IPB041N04NGATMA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
Mã sản phẩm
IPB041N04NGATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D²PAK (TO-263AB)
Tản điện (Tối đa)
94W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
40V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
4.1 mOhm @ 80A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 45µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
56nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 20V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 38159 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPB041N04NGATMA1
IPB041N04NGATMA1 Linh kiện điện tử
IPB041N04NGATMA1 Việc bán hàng
IPB041N04NGATMA1 Nhà cung cấp
IPB041N04NGATMA1 Nhà phân phối
IPB041N04NGATMA1 Bảng dữ liệu
IPB041N04NGATMA1 Ảnh
IPB041N04NGATMA1 Giá
IPB041N04NGATMA1 Lời đề nghị
IPB041N04NGATMA1 Giá thấp nhất
IPB041N04NGATMA1 Tìm kiếm
IPB041N04NGATMA1 Thu mua
IPB041N04NGATMA1 Chip