Mua Infineon Technologies IPB072N15N3GE8187ATMA1 MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

IPB072N15N3GE8187ATMA1

MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

Mã sản phẩm

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

OptiMOS™

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 175°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-TO263-3-2

Tản điện (Tối đa)

300W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

150V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

100A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

7.2 mOhm @ 100A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 270µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

93nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

5470pF @ 75V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

8V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 15800 PCS

Thông tin liên lạc