Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPB083N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
Mã sản phẩm
IPB083N15N5LFATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D²PAK (TO-263AB)
Tản điện (Tối đa)
179W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
150V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
105A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
8.3 mOhm @ 100A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.9V @ 134µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
45nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
210pF @ 75V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 13310 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPB083N15N5LFATMA1
IPB083N15N5LFATMA1 Linh kiện điện tử
IPB083N15N5LFATMA1 Việc bán hàng
IPB083N15N5LFATMA1 Nhà cung cấp
IPB083N15N5LFATMA1 Nhà phân phối
IPB083N15N5LFATMA1 Bảng dữ liệu
IPB083N15N5LFATMA1 Ảnh
IPB083N15N5LFATMA1 Giá
IPB083N15N5LFATMA1 Lời đề nghị
IPB083N15N5LFATMA1 Giá thấp nhất
IPB083N15N5LFATMA1 Tìm kiếm
IPB083N15N5LFATMA1 Thu mua
IPB083N15N5LFATMA1 Chip