IPB093N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
Mã sản phẩm
IPB093N04LGATMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
OptiMOS™
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D²PAK (TO-263AB)
Tản điện (Tối đa)
47W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
40V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
9.3 mOhm @ 50A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2V @ 16µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
28nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 20V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 51272 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPB093N04LGATMA1
IPB093N04LGATMA1 Linh kiện điện tử
IPB093N04LGATMA1 Việc bán hàng
IPB093N04LGATMA1 Nhà cung cấp
IPB093N04LGATMA1 Nhà phân phối
IPB093N04LGATMA1 Bảng dữ liệu
IPB093N04LGATMA1 Ảnh
IPB093N04LGATMA1 Giá
IPB093N04LGATMA1 Lời đề nghị
IPB093N04LGATMA1 Giá thấp nhất
IPB093N04LGATMA1 Tìm kiếm
IPB093N04LGATMA1 Thu mua
IPB093N04LGATMA1 Chip