Mua Infineon Technologies IPU80R1K0CEAKMA1 MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

IPU80R1K0CEAKMA1

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251

Mã sản phẩm

IPU80R1K0CEAKMA1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Infineon Technologies

Loạt

CoolMOS™ CE

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tube

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PG-TO251

Tản điện (Tối đa)

83W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

800V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

5.7A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

950 mOhm @ 3.6A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3.9V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

31nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

785pF @ 100V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 48677 PCS

Thông tin liên lạc