Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IPU80R1K0CEBKMA1
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
Mã sản phẩm
IPU80R1K0CEBKMA1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
CoolMOS™
Trạng thái một phần
Discontinued at Digi-Key
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PG-TO251-3
Tản điện (Tối đa)
83W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
5.7A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
950 mOhm @ 3.6A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.9V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
31nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
785pF @ 100V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 29737 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IPU80R1K0CEBKMA1
IPU80R1K0CEBKMA1 Linh kiện điện tử
IPU80R1K0CEBKMA1 Việc bán hàng
IPU80R1K0CEBKMA1 Nhà cung cấp
IPU80R1K0CEBKMA1 Nhà phân phối
IPU80R1K0CEBKMA1 Bảng dữ liệu
IPU80R1K0CEBKMA1 Ảnh
IPU80R1K0CEBKMA1 Giá
IPU80R1K0CEBKMA1 Lời đề nghị
IPU80R1K0CEBKMA1 Giá thấp nhất
IPU80R1K0CEBKMA1 Tìm kiếm
IPU80R1K0CEBKMA1 Thu mua
IPU80R1K0CEBKMA1 Chip