Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFSL4229PBF

IRFSL4229PBF

MOSFET N-CH 250V 45A TO-262
Mã sản phẩm
IRFSL4229PBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
HEXFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-40°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-262
Tản điện (Tối đa)
330W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
250V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
48 mOhm @ 26A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
110nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4560pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 44033 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IRFSL4229PBF
IRFSL4229PBF Linh kiện điện tử
IRFSL4229PBF Việc bán hàng
IRFSL4229PBF Nhà cung cấp
IRFSL4229PBF Nhà phân phối
IRFSL4229PBF Bảng dữ liệu
IRFSL4229PBF Ảnh
IRFSL4229PBF Giá
IRFSL4229PBF Lời đề nghị
IRFSL4229PBF Giá thấp nhất
IRFSL4229PBF Tìm kiếm
IRFSL4229PBF Thu mua
IRFSL4229PBF Chip