Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFS11N50APBF
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Mã sản phẩm
IRFS11N50APBF
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D2PAK
Tản điện (Tối đa)
170W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
500V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
520 mOhm @ 6.6A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
52nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1423pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 23762 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IRFS11N50APBF
IRFS11N50APBF Linh kiện điện tử
IRFS11N50APBF Việc bán hàng
IRFS11N50APBF Nhà cung cấp
IRFS11N50APBF Nhà phân phối
IRFS11N50APBF Bảng dữ liệu
IRFS11N50APBF Ảnh
IRFS11N50APBF Giá
IRFS11N50APBF Lời đề nghị
IRFS11N50APBF Giá thấp nhất
IRFS11N50APBF Tìm kiếm
IRFS11N50APBF Thu mua
IRFS11N50APBF Chip