Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IRFS11N50A

IRFS11N50A

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Mã sản phẩm
IRFS11N50A
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D2PAK
Tản điện (Tối đa)
170W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
500V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
520 mOhm @ 6.6A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
52nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1423pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 13207 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IRFS11N50A
IRFS11N50A Linh kiện điện tử
IRFS11N50A Việc bán hàng
IRFS11N50A Nhà cung cấp
IRFS11N50A Nhà phân phối
IRFS11N50A Bảng dữ liệu
IRFS11N50A Ảnh
IRFS11N50A Giá
IRFS11N50A Lời đề nghị
IRFS11N50A Giá thấp nhất
IRFS11N50A Tìm kiếm
IRFS11N50A Thu mua
IRFS11N50A Chip