Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTM11N80
POWER MOSFET TO-3
Mã sản phẩm
IXTM11N80
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
GigaMOS™
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
-
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-204AA, TO-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-204AA
Tản điện (Tối đa)
300W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
950 mOhm @ 5.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
170nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 23450 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTM11N80
IXTM11N80 Linh kiện điện tử
IXTM11N80 Việc bán hàng
IXTM11N80 Nhà cung cấp
IXTM11N80 Nhà phân phối
IXTM11N80 Bảng dữ liệu
IXTM11N80 Ảnh
IXTM11N80 Giá
IXTM11N80 Lời đề nghị
IXTM11N80 Giá thấp nhất
IXTM11N80 Tìm kiếm
IXTM11N80 Thu mua
IXTM11N80 Chip