Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTM12N100
POWER MOSFET TO-3
Mã sản phẩm
IXTM12N100
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
GigaMOS™
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
-
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-204AA, TO-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-204AA
Tản điện (Tối đa)
300W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.05 Ohm @ 6A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
170nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4000pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 23824 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTM12N100
IXTM12N100 Linh kiện điện tử
IXTM12N100 Việc bán hàng
IXTM12N100 Nhà cung cấp
IXTM12N100 Nhà phân phối
IXTM12N100 Bảng dữ liệu
IXTM12N100 Ảnh
IXTM12N100 Giá
IXTM12N100 Lời đề nghị
IXTM12N100 Giá thấp nhất
IXTM12N100 Tìm kiếm
IXTM12N100 Thu mua
IXTM12N100 Chip