Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTM35N30
POWER MOSFET TO-3
Mã sản phẩm
IXTM35N30
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
GigaMOS™
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
-
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-204AE
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-204AE
Tản điện (Tối đa)
300W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
300V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
100 mOhm @ 17.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
220nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4600pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 15112 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTM35N30
IXTM35N30 Linh kiện điện tử
IXTM35N30 Việc bán hàng
IXTM35N30 Nhà cung cấp
IXTM35N30 Nhà phân phối
IXTM35N30 Bảng dữ liệu
IXTM35N30 Ảnh
IXTM35N30 Giá
IXTM35N30 Lời đề nghị
IXTM35N30 Giá thấp nhất
IXTM35N30 Tìm kiếm
IXTM35N30 Thu mua
IXTM35N30 Chip