Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTM5N100
POWER MOSFET TO-3
Mã sản phẩm
IXTM5N100
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
-
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-204AA, TO-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-204AA
Tản điện (Tối đa)
180W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
2.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
130nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2600pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 35322 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTM5N100
IXTM5N100 Linh kiện điện tử
IXTM5N100 Việc bán hàng
IXTM5N100 Nhà cung cấp
IXTM5N100 Nhà phân phối
IXTM5N100 Bảng dữ liệu
IXTM5N100 Ảnh
IXTM5N100 Giá
IXTM5N100 Lời đề nghị
IXTM5N100 Giá thấp nhất
IXTM5N100 Tìm kiếm
IXTM5N100 Thu mua
IXTM5N100 Chip