Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTM67N10
POWER MOSFET TO-3
Mã sản phẩm
IXTM67N10
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
GigaMOS™
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
-
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-204AE
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-204AE
Tản điện (Tối đa)
300W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 4mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
260nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 14726 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTM67N10
IXTM67N10 Linh kiện điện tử
IXTM67N10 Việc bán hàng
IXTM67N10 Nhà cung cấp
IXTM67N10 Nhà phân phối
IXTM67N10 Bảng dữ liệu
IXTM67N10 Ảnh
IXTM67N10 Giá
IXTM67N10 Lời đề nghị
IXTM67N10 Giá thấp nhất
IXTM67N10 Tìm kiếm
IXTM67N10 Thu mua
IXTM67N10 Chip