Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTT10N100D
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
Mã sản phẩm
IXTT10N100D
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-268
Tản điện (Tối đa)
400W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
Depletion Mode
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.4 Ohm @ 10A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
130nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 23660 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTT10N100D
IXTT10N100D Linh kiện điện tử
IXTT10N100D Việc bán hàng
IXTT10N100D Nhà cung cấp
IXTT10N100D Nhà phân phối
IXTT10N100D Bảng dữ liệu
IXTT10N100D Ảnh
IXTT10N100D Giá
IXTT10N100D Lời đề nghị
IXTT10N100D Giá thấp nhất
IXTT10N100D Tìm kiếm
IXTT10N100D Thu mua
IXTT10N100D Chip