Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTT10P60

IXTT10P60

MOSFET P-CH 600V 10A TO-268
Mã sản phẩm
IXTT10P60
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-268
Tản điện (Tối đa)
300W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1 Ohm @ 5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
160nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 35274 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXTT10P60
IXTT10P60 Linh kiện điện tử
IXTT10P60 Việc bán hàng
IXTT10P60 Nhà cung cấp
IXTT10P60 Nhà phân phối
IXTT10P60 Bảng dữ liệu
IXTT10P60 Ảnh
IXTT10P60 Giá
IXTT10P60 Lời đề nghị
IXTT10P60 Giá thấp nhất
IXTT10P60 Tìm kiếm
IXTT10P60 Thu mua
IXTT10P60 Chip