Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTT16N10D2

IXTT16N10D2

MOSFET N-CH 100V 16A TO-268
Mã sản phẩm
IXTT16N10D2
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-268
Tản điện (Tối đa)
830W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
Depletion Mode
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
64 mOhm @ 8A, 0V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
-
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
225nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
5700pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
0V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 23954 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXTT16N10D2
IXTT16N10D2 Linh kiện điện tử
IXTT16N10D2 Việc bán hàng
IXTT16N10D2 Nhà cung cấp
IXTT16N10D2 Nhà phân phối
IXTT16N10D2 Bảng dữ liệu
IXTT16N10D2 Ảnh
IXTT16N10D2 Giá
IXTT16N10D2 Lời đề nghị
IXTT16N10D2 Giá thấp nhất
IXTT16N10D2 Tìm kiếm
IXTT16N10D2 Thu mua
IXTT16N10D2 Chip