Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTT170N10P

IXTT170N10P

MOSFET N-CH 100V 170A TO-268
Mã sản phẩm
IXTT170N10P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Polar™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-268
Tản điện (Tối đa)
715W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
9 mOhm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
198nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 47518 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXTT170N10P
IXTT170N10P Linh kiện điện tử
IXTT170N10P Việc bán hàng
IXTT170N10P Nhà cung cấp
IXTT170N10P Nhà phân phối
IXTT170N10P Bảng dữ liệu
IXTT170N10P Ảnh
IXTT170N10P Giá
IXTT170N10P Lời đề nghị
IXTT170N10P Giá thấp nhất
IXTT170N10P Tìm kiếm
IXTT170N10P Thu mua
IXTT170N10P Chip