Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTT30N60P
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3
Mã sản phẩm
IXTT30N60P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
PolarHV™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-268
Tản điện (Tối đa)
540W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
240 mOhm @ 15A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
82nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
5050pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 24202 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTT30N60P
IXTT30N60P Linh kiện điện tử
IXTT30N60P Việc bán hàng
IXTT30N60P Nhà cung cấp
IXTT30N60P Nhà phân phối
IXTT30N60P Bảng dữ liệu
IXTT30N60P Ảnh
IXTT30N60P Giá
IXTT30N60P Lời đề nghị
IXTT30N60P Giá thấp nhất
IXTT30N60P Tìm kiếm
IXTT30N60P Thu mua
IXTT30N60P Chip