Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTT3N200P3HV
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Mã sản phẩm
IXTT3N200P3HV
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-268
Tản điện (Tối đa)
520W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
2000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
70nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1860pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 7748 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTT3N200P3HV
IXTT3N200P3HV Linh kiện điện tử
IXTT3N200P3HV Việc bán hàng
IXTT3N200P3HV Nhà cung cấp
IXTT3N200P3HV Nhà phân phối
IXTT3N200P3HV Bảng dữ liệu
IXTT3N200P3HV Ảnh
IXTT3N200P3HV Giá
IXTT3N200P3HV Lời đề nghị
IXTT3N200P3HV Giá thấp nhất
IXTT3N200P3HV Tìm kiếm
IXTT3N200P3HV Thu mua
IXTT3N200P3HV Chip