Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTT6N120
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
Mã sản phẩm
IXTT6N120
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-268
Tản điện (Tối đa)
300W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
2.6 Ohm @ 3A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
56nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1950pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 15848 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTT6N120
IXTT6N120 Linh kiện điện tử
IXTT6N120 Việc bán hàng
IXTT6N120 Nhà cung cấp
IXTT6N120 Nhà phân phối
IXTT6N120 Bảng dữ liệu
IXTT6N120 Ảnh
IXTT6N120 Giá
IXTT6N120 Lời đề nghị
IXTT6N120 Giá thấp nhất
IXTT6N120 Tìm kiếm
IXTT6N120 Thu mua
IXTT6N120 Chip