Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTY01N100
MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK
Mã sản phẩm
IXTY01N100
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-252AA
Tản điện (Tối đa)
25W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
100mA (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
80 Ohm @ 100mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 25µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
6.9nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
54pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 27872 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTY01N100
IXTY01N100 Linh kiện điện tử
IXTY01N100 Việc bán hàng
IXTY01N100 Nhà cung cấp
IXTY01N100 Nhà phân phối
IXTY01N100 Bảng dữ liệu
IXTY01N100 Ảnh
IXTY01N100 Giá
IXTY01N100 Lời đề nghị
IXTY01N100 Giá thấp nhất
IXTY01N100 Tìm kiếm
IXTY01N100 Thu mua
IXTY01N100 Chip