Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTY01N100D
MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
Mã sản phẩm
IXTY01N100D
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-252, (D-Pak)
Tản điện (Tối đa)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
Depletion Mode
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
100mA (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
110 Ohm @ 50mA, 0V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
-
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
-
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
120pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
-
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 39586 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTY01N100D
IXTY01N100D Linh kiện điện tử
IXTY01N100D Việc bán hàng
IXTY01N100D Nhà cung cấp
IXTY01N100D Nhà phân phối
IXTY01N100D Bảng dữ liệu
IXTY01N100D Ảnh
IXTY01N100D Giá
IXTY01N100D Lời đề nghị
IXTY01N100D Giá thấp nhất
IXTY01N100D Tìm kiếm
IXTY01N100D Thu mua
IXTY01N100D Chip