Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTY08N100P
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
Mã sản phẩm
IXTY08N100P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Polar™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-252, (D-Pak)
Tản điện (Tối đa)
42W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
20 Ohm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
11.3nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
240pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 48113 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTY08N100P
IXTY08N100P Linh kiện điện tử
IXTY08N100P Việc bán hàng
IXTY08N100P Nhà cung cấp
IXTY08N100P Nhà phân phối
IXTY08N100P Bảng dữ liệu
IXTY08N100P Ảnh
IXTY08N100P Giá
IXTY08N100P Lời đề nghị
IXTY08N100P Giá thấp nhất
IXTY08N100P Tìm kiếm
IXTY08N100P Thu mua
IXTY08N100P Chip