Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTY1N80P
MOSFET N-CH 800V 1A TO-252
Mã sản phẩm
IXTY1N80P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Polar™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-252, (D-Pak)
Tản điện (Tối đa)
42W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
14 Ohm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
9nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 44786 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTY1N80P
IXTY1N80P Linh kiện điện tử
IXTY1N80P Việc bán hàng
IXTY1N80P Nhà cung cấp
IXTY1N80P Nhà phân phối
IXTY1N80P Bảng dữ liệu
IXTY1N80P Ảnh
IXTY1N80P Giá
IXTY1N80P Lời đề nghị
IXTY1N80P Giá thấp nhất
IXTY1N80P Tìm kiếm
IXTY1N80P Thu mua
IXTY1N80P Chip