Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTY1R4N100P
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252
Mã sản phẩm
IXTY1R4N100P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Polar™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-252, (D-Pak)
Tản điện (Tối đa)
63W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
11 Ohm @ 500mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 50µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
17.8nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
450pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 44598 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTY1R4N100P
IXTY1R4N100P Linh kiện điện tử
IXTY1R4N100P Việc bán hàng
IXTY1R4N100P Nhà cung cấp
IXTY1R4N100P Nhà phân phối
IXTY1R4N100P Bảng dữ liệu
IXTY1R4N100P Ảnh
IXTY1R4N100P Giá
IXTY1R4N100P Lời đề nghị
IXTY1R4N100P Giá thấp nhất
IXTY1R4N100P Tìm kiếm
IXTY1R4N100P Thu mua
IXTY1R4N100P Chip