Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTY1R4N120PHV
MOSFET N-CH
Mã sản phẩm
IXTY1R4N120PHV
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Polar™
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
-
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-252
Tản điện (Tối đa)
86W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
13 Ohm @ 700mA, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.5V @ 100µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
24.8nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
666pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 29110 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của IXTY1R4N120PHV
IXTY1R4N120PHV Linh kiện điện tử
IXTY1R4N120PHV Việc bán hàng
IXTY1R4N120PHV Nhà cung cấp
IXTY1R4N120PHV Nhà phân phối
IXTY1R4N120PHV Bảng dữ liệu
IXTY1R4N120PHV Ảnh
IXTY1R4N120PHV Giá
IXTY1R4N120PHV Lời đề nghị
IXTY1R4N120PHV Giá thấp nhất
IXTY1R4N120PHV Tìm kiếm
IXTY1R4N120PHV Thu mua
IXTY1R4N120PHV Chip