Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
IXTY4N60P

IXTY4N60P

MOSFET N-CH TO-252
Mã sản phẩm
IXTY4N60P
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
PolarHV™
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-252
Tản điện (Tối đa)
89W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
2 Ohm @ 2A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
5.5V @ 100µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
13nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
635pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 36931 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của IXTY4N60P
IXTY4N60P Linh kiện điện tử
IXTY4N60P Việc bán hàng
IXTY4N60P Nhà cung cấp
IXTY4N60P Nhà phân phối
IXTY4N60P Bảng dữ liệu
IXTY4N60P Ảnh
IXTY4N60P Giá
IXTY4N60P Lời đề nghị
IXTY4N60P Giá thấp nhất
IXTY4N60P Tìm kiếm
IXTY4N60P Thu mua
IXTY4N60P Chip