Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
APT1001R1BN
MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD
Mã sản phẩm
APT1001R1BN
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
POWER MOS IV®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-247-3
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-247AD
Tản điện (Tối đa)
310W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
1000V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
1.1 Ohm @ 5.25A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
130nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2950pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 37761 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của APT1001R1BN
APT1001R1BN Linh kiện điện tử
APT1001R1BN Việc bán hàng
APT1001R1BN Nhà cung cấp
APT1001R1BN Nhà phân phối
APT1001R1BN Bảng dữ liệu
APT1001R1BN Ảnh
APT1001R1BN Giá
APT1001R1BN Lời đề nghị
APT1001R1BN Giá thấp nhất
APT1001R1BN Tìm kiếm
APT1001R1BN Thu mua
APT1001R1BN Chip