Mua Microsemi Corporation APT1001RBN MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

APT1001RBN

MOSFET N-CH 1000V 11A TO247AD

Mã sản phẩm

APT1001RBN

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Microsemi Corporation

Loạt

POWER MOS IV®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Tube

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Through Hole

Gói / Thùng

TO-247-3

Gói thiết bị của nhà cung cấp

TO-247AD

Tản điện (Tối đa)

310W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

1000V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

11A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

1 Ohm @ 5.5A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

130nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2950pF @ 25V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

10V

VSS (Tối đa)

±30V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 50396 PCS

Thông tin liên lạc